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INVESTIGACIÓN

Una investigación del Instituto de Nanociencia abre nuevas vías para el diseño de memorias inteligentes

El objetivo de este trabajo es lograr dispositivos de almacenamiento de datos más inteligentes y de mayor capacidad.

EUROPA PRESS. ZARAGOZA Actualizada 25/11/2011 a las 17:14
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Una investigación realizada en el Instituto de Nanociencia de Aragón (INE) de la Universidad de Zaragoza abre nuevas vías para el diseño de dispositivos de almacenamiento de datos más inteligentes y de mayor capacidad.

Los resultados de dicha investigación han sido publicados por la revista científica Nature Materials, el artículo parte de las imágenes con resolución atómica obtenidas en el microscopio electrónico de última generación 'Titán' del Laboratorio de Microscopías Avanzadas del INA.

El objetivo de este trabajo es "mejorar el control que se tiene sobre las propiedades ferroeléctricas de películas delgadas a partir de la tensión que sufren estas películas al depositarse sobre un sustrato, mediante el fenómeno conocido como flexoelectricidad", ha informado la Universidad de Zaragoza en un comunicado.

Asimismo, ha recalcado que las imágenes del 'Titán' han permitido, por primera vez, medir con alta precisión los desplazamientos de los diferentes átomos dentro de la estructura cristalina del material que da lugar a la flerroelectricidad.

Esta estructura cristalina está formada por átomos cargados positiva o negativamente, cuyo desplazamiento relativo origina la formación espontánea de dipolos eléctricos, que a su vez están orientados en la misma dirección.

Conocer más en profundidad las propiedades de estos materiales "permitirá avanzar a la hora de controlar la orientación de la polarización eléctrica, un factor clave para poder almacenar información en forma de bites ferroeléctricos", ha subrayado la Universidad.

El investigador del INA y de la Fundación Aragonesa para la Investigación y el Desarrollo (ARAID), César Magén, ha realizado este trabajo en el marco de una amplia colaboración con investigadores de Holanda, Francia y Barcelona.

Este trabajo abre nuevas oportunidades en el diseño inteligente de memorias ferroeléctricas, a partir de variaciones en la tensión ejercida por el sustrato en una película delgada ferroeléctrica para su uso en dispositivos de almacenamiento de datos.









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